第一百八十九章：aoe伤害，最惨的米国（求订阅）

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    下播后，韩元回到了居住室弄了些吃的犒劳了一下自己，丝毫不知道现实中已经逐渐开始乱套了。

    事实上，当他给碳化硅晶材使用‘电热-渗透法’注入铝离子的时候，硅晶材料和芯片这方面就已经开始乱套了。

    一种全新、稳定、能极少损坏碳化硅晶材中碳原子的离子注入法，引起了不少国家和研究这方面科学家的关注。

    在确认这种方式有效后，这一波造成的aoe伤害范围可不小。

    包括华国在内，还有米国、岛国、风车国等有能力制造离子注入机和离子源的国家都开始有些急了。

    华国其实还好，虽然国内有凯世通和中科信两家离子注入机行业的龙头企业，算得上是是世界领先。

    但领先的是光伏离子注入机方面，离子渗透在光伏这方面目前还没展示出应用。

    真正惨的是米国和岛国。

    离子渗透法在应用方面从理论上来说可以代替米国IC离子注入机，尽管做不到全部。

    但伤害性真不小。

    要知道在这种方式没面世前，米国拥有近乎垄断IC离子注入机市场的应用材料。

    凡事涉及到芯片制造、高科技合金镀层的，都得从他手里买。

    ‘电热-离子渗透法’这一枚炸弹丢下，至少在铝离子方面的离子注入，已经和他们无关了。

    如果说真的能将‘电热-离子渗透法’应用起来，哪怕是一部分的应用。

    那米国这一波损失的，恐怕是每年上十亿甚至几十亿米金的市场。

    而更关键的，还是今天的直播。

    碳化硅晶体管的成功制备，让这研究方面的科学家看到了碳化硅晶材在芯片上的应用。

    如果能成功的话，那撬动的可能就不是几十亿米金的市场了，而是百亿、千亿级别。

    毕竟碳化硅半导体比单晶硅在性能方面要优异很多。

    如果能用碳化硅晶材取代单晶硅作为基底的话，在芯片性能方面绝对能提升不少。

    所以在韩元今天的直播结束后，准确的说是碳化硅晶体管放大电流的检测成功后，各国就已经乱了。

    找人的找人，研究的研究。

    米国甚至开始向华国进行施压，逼迫华国交这个不存在的主播，理由是这名主播盗取并透露了他们最新的科技研究。

    .......

    模拟空间内，美美的饱餐一顿后，韩元例常将今天的资料记录了下来。

    第一颗碳化硅晶体管的成功面世，虽然仅仅是微弱的第一步，但让他对成功制造出晶体管计算机的信心大增。

    如果将晶体管计算机比作笔记本电脑，那么晶体管就相当于CPU。

    其重要性无可替代。

    所以韩元选择第一个研究的就是晶体管，有了运算的核心，才能保障计算器的制造。

    一觉醒来，韩元接着制造碳化硅晶体管和对晶体管进行各种检测。

    电压检测、达林顿管检测、极限参数检测等各种测试全部做完的时候，二级任务的时间已经过去了二十多天。

    这个过程，并没有想象中的那么顺利。

    尽管碳化硅晶材很优秀，但他制造晶体管的工艺和设备实在太简陋。

    像在蚀刻和退火等环节都无法做到完美的控制，这也导致了制造出来的碳化硅晶体管或多或少的有着一些缺陷。

    甚至在做反向击穿电压的检测时，还遭遇到了最大的问题，一百伏电压轻松的击穿第一枚晶体管的集电极，导致了电子反向流动。

    这个问题迫使韩元不得不重新进行设计晶体管的集电层。

    好在最后他还是找了办法解决了。

    整个过程费时接近一个月，韩元才完成针对信号放大晶体管的检测，还不包括其他种类的晶体管。

    像光电管，发光管，变容管，单结晶体管，微波管，整流管，稳压管这些都还没制造和进行测试的。

    不过相比第一枚信号放到晶体管来说，后面的制造，就容易很多了。

    毕竟测试设备和制造工艺都确定了下来，速度上会拉升好几个档次。

    不过即便是这样，在信号放大晶体管测试稳定通过后，他依旧花费了接近两个多月的时间才将剩下的晶体管制造出来。

    物理实验室中，已经堆放了好些大小不同的箱子。

    上面贴着不同的标签，对应存放着这三个月多月以来他制造出来的不同种类的晶体管和阻容器。

    有多有少，多的种类像信号放大晶体管韩元制造了一千多颗、少的像稳压晶体管就几十上百颗而已。

    当这些晶体管通过电路图完整的拼接起来的时候，就可以变成一块核心运算器。

    三个多月的时间，全都在制造各种晶体管，步骤枯燥无味，远没有第一次观看的新鲜感，长留